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我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)規(guī)模近2000億元

春晚神奇多變的舞臺背景,北京奧運開幕式逼真炫目的“畫軸”,“水立方”如夢如幻的照明系統(tǒng)……當(dāng)...

日期 2013-02-25   

挪威低成本方法讓半導(dǎo)體上生出石墨烯

據(jù)每日科學(xué)網(wǎng)9月11日報道,挪威科技大學(xué)的研究人員開發(fā)出一種低成本的方法,能夠在砷化鎵納米線上生長出石墨烯。研究人員稱,這種石墨烯半導(dǎo)體混合材料具有優(yōu)良的光電性能和透明...

日期 2012-09-18   

美開發(fā)出無缺陷半導(dǎo)體納米晶體薄膜

美國麻省理工學(xué)院的研究人員利用電子束光刻技術(shù)和剝離過程開發(fā)出無缺陷半導(dǎo)體納米晶體薄膜。這是一種很有前途的新材料,可廣泛應(yīng)用并開辟潛在的重點研究領(lǐng)域。相關(guān)報告發(fā)表在近期出...

日期 2012-08-24   

半導(dǎo)體精密薄片金剛石砂線切割液及其制備方法

名稱半導(dǎo)體精密薄片金剛石砂線切割液及其制備方法申請?zhí)?01210045299申請日2012年2月27日公開號102618376A公開

日期 2012-08-22   

金剛石新技術(shù)為功率半導(dǎo)體提供熱管理解決方案

據(jù)美國《RAYTHEONTECHNOLOGYTODAY2012ISSUE1》報導(dǎo):下一代雷達、通信和電子戰(zhàn)系統(tǒng),特別是采用高功率氮化鎵基射頻的器件將得益于先進的熱管理方...

日期 2012-06-19   

美研制出全新碳基半導(dǎo)體“一氧化石墨烯”

美國威斯康辛大學(xué)米爾沃基分校的科學(xué)家發(fā)現(xiàn)了一種全新的碳基材料一氧化石墨烯(GMO),其由碳家族的神奇材料石墨烯合成,該半導(dǎo)體新材料有助于碳取代硅,應(yīng)用于電子設(shè)備中。石墨...

日期 2012-06-08   

可用石墨烯實現(xiàn)大功率半導(dǎo)體設(shè)備大幅降溫

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)5月9日(北京時間)報道,美國加州大學(xué)河濱分校伯恩斯工程學(xué)院的研究人員開發(fā)出一種新技術(shù),可借助石墨烯實現(xiàn)大功率半導(dǎo)體設(shè)備的大幅降溫,解決在交通信號燈和電...

日期 2012-05-10   
住友電工(常州)半導(dǎo)體材料有限公司開業(yè)

住友電工(常州)半導(dǎo)體材料有限公司開業(yè)

住友電工(常州)半導(dǎo)體材料有限公司開業(yè)5月8日上午,住友電工(常州)半導(dǎo)體材料有限公司開業(yè)儀式在武進高新區(qū)舉行。...

日期 2012-05-10   

美研制出全新碳基半導(dǎo)體“一氧化石墨烯”

石墨烯的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能極強,遠超硅和其他傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料,而由硅制成的晶體管的大小正接近極限,科學(xué)家們認為,納米尺度的碳材料可能是“救命稻草”,...

日期 2012-04-23   

加工陶瓷和半導(dǎo)體材料的新型激光金剛石刀具

美國西密歇根大學(xué)的制造工程學(xué)教授JohnPatten博士開發(fā)了一種稱為“μ-LAM”的微激光輔助加工技術(shù),該方法將激光與金剛石刀具結(jié)合起來...

日期 2011-05-18   

碳化硅半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的層疊電介質(zhì)

名稱碳化硅半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上的層疊電介質(zhì)公開號1336010公開日2002.02.13主分類號H01L29/51 

通過注入摻雜制成的碳化硅半導(dǎo)體的熱修復(fù)法

名稱通過注入摻雜制成的碳化硅半導(dǎo)體的熱修復(fù)法公開號1272957公開日2000.11.08主分類號H01L21/26

日期 2010-12-23   

具有預(yù)定的α碳化硅區(qū)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的應(yīng)用

名稱具有預(yù)定的α碳化硅區(qū)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的應(yīng)用公開號1267397公開日2000.09.20主分類號

以碳化硅材料為基材并具有多個不同電氣特性的分區(qū)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

名稱以碳化硅材料為基材并具有多個不同電氣特性的分區(qū)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)公開號1265227公開日2000.08.30主分類號

一種高溫碳化硅半導(dǎo)體材料制造裝置

名稱一種高溫碳化硅半導(dǎo)體材料制造裝置公開號1327092公開日2001.12.19主分類號C30B25/02&nbs

日期 2010-12-23   

碳化硅水平溝道緩沖柵極半導(dǎo)體器件

名稱碳化硅水平溝道緩沖柵極半導(dǎo)體器件公開號1308774公開日2001.08.15主分類號H01L29/24&nbs

日期 2010-12-23   

碳化硅半導(dǎo)體開關(guān)器件

名稱碳化硅半導(dǎo)體開關(guān)器件公開號1286805公開日2001.03.07主分類號H01L29/04

日期 2010-12-23   

碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導(dǎo)體元件

名稱碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導(dǎo)體元件公開號1237272公開日1999.12.01主分類號H01

日期 2010-12-23   

碳化硅與氮化鎵間的緩沖結(jié)構(gòu)及由此得到的半導(dǎo)體器件

名稱碳化硅與氮化鎵間的緩沖結(jié)構(gòu)及由此得到的半導(dǎo)體器件公開號1137331公開日1996.12.04主分類號H01L33/

日期 2010-12-23   

采用可調(diào)整的金剛石半導(dǎo)體發(fā)射極的場致發(fā)射電子器件

名稱采用可調(diào)整的金剛石半導(dǎo)體發(fā)射極的場致發(fā)射電子器件公開號1069825公開日1993.03.10主分類號H01J1

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