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官方微信摘要 名稱以碳化硅材料為基材并具有多個不同電氣特性的分區(qū)的半導體結構公開號1265227公開日2000.08.30主分類號
| 名稱 | 以碳化硅材料為基材并具有多個不同電氣特性的分區(qū)的半導體結構 | ||
| 公開號 | 1265227 | 公開日 | 2000.08.30 |
| 主分類號 | H01L29/24 | 分類號 | H01L29/24;//H01L29/78,29/808H01L29/812,,29/739 |
| 申請?zhí)?/strong> | 98807535.0 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1998.07.27 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權 | [32]1997.7.31[33]DE[31]19733076.2 | |
| 申請人 | 西門子公司 | 地址 | 德國慕尼黑 |
| 發(fā)明人 | 德薩德·彼得斯; 萊因霍爾德·肖納 | 國際申請 | PCT.DE98/02108 1998.7.27 |
| 國際公布 | WO99.7018 德 1999.2.11 | 進入國家日期 | 2000.01.24 |
| 專利代理機構 | 柳沈知識產權律師事務所 | 代理人 | 侯宇 |
| 摘要 | 一種以碳化硅材料為基材并具有多個不同電氣特性的分區(qū)的半導體結構。該SiC半導體結構（2）至少包含三個半導體區(qū)（G1至G3），其中第三半導體（G3）的表面包圍第二半導體區(qū)（G2）的表面，即第二分型面（F2），而第二半導體區(qū)（G2）表面又包圍第一半導體區(qū)（G1）的表面，即第一分型面（ F1)。根據本發(fā)明，第二分型面（F2）的邊部（R2）的輪廓由第一分型面（F1）的邊部（R1）的輪廓所決定，兩者的關系是：第二分型面（F2）基本上是第一分型面（F1 ）的特殊擴展圖像，其中第二分型面（F2）的邊部（R2）的輪廓與該擴展圖像的精確輪廓（Re）的偏差（△a）最大為±10nm。 | ||
豫公網安備41019702003646號