申請?zhí)枺?01520314102.0
　　申請人：東莞市瑞鼎納米科技有限公司
　　發(fā)明人：王俊鋒

　　摘要：本實(shí)用新型屬于鍍膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種CVD金剛石涂層設(shè)備，包括真空泵、鍍膜箱體和基片架，所述真空泵與所述鍍膜箱體連通，所述鍍膜箱體具有鍍膜腔，所述基片架設(shè)置于所述鍍膜腔內(nèi)，在所述基片架的兩側(cè)分別設(shè)置有電極鉬架，兩個所述電極鉬架之間連接有鉭絲。在基片架上安放需鍍膜的樣品，然后通過真空泵將鍍膜腔抽氣至真空狀態(tài)，接著通入反應(yīng)氣體甲烷和氮?dú)?，再利用鉭絲碳化后加熱產(chǎn)生高溫將氫氣裂解電離成氫原子和等離子體，氫原子等離子體再將甲烷中的氫元素剝離形成大量有活性化學(xué)鍵的碳，碳碳相連組成金剛石，最后使得金剛石涂覆在樣品上。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單、涂層效果理想、被涂覆的產(chǎn)品使用壽命長。 　　主權(quán)利要求：1.CVD金剛石涂層設(shè)備，其特征在于：包括真空泵、鍍膜箱體和基片架，所述真空泵與所述鍍膜箱體連通，所述鍍膜箱體具有鍍膜腔，所述基片架設(shè)置于所述鍍膜腔內(nèi)，在所述基片架的兩側(cè)分別設(shè)置有電極鉬架，兩個所述電極鉬架之間連接有鉭絲。
　　2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CVD金剛石涂層設(shè)備，其特征在于：所述基片架包括基片臺和主軸，所述主軸的輸出端連接所述基片臺。
　　3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CVD金剛石涂層設(shè)備，其特征在于：每個所述電極鉬架包括電極桿及與所述電極桿連接的鉭絲固定桿。
　　4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CVD金剛石涂層設(shè)備，其特征在于：所述真空泵通過抽氣管道與所述鍍膜箱體連通。
　　5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CVD金剛石涂層設(shè)備，其特征在于：所述鍍膜箱體連接有進(jìn)氣管道。