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碳化硅襯底上具有導(dǎo)電緩沖中間層結(jié)構(gòu)的Ⅲ族氮化物光子器件

名稱碳化硅襯底上具有導(dǎo)電緩沖中間層結(jié)構(gòu)的Ⅲ族氮化物光子器件公開(kāi)號(hào)1278949公開(kāi)日2001.01.03主分類號(hào)H0

日期 2010-12-23   

用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長(zhǎng)碳化硅單晶體

名稱用硅襯底β碳化硅晶體薄膜生長(zhǎng)碳化硅單晶體公開(kāi)號(hào)1224084公開(kāi)日1999.07.28主分類號(hào)C30B

日期 2010-12-23   

碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導(dǎo)體元件

名稱碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導(dǎo)體元件公開(kāi)號(hào)1237272公開(kāi)日1999.12.01主分類號(hào)H01

日期 2010-12-23   

硅襯底上適于鍵合技術(shù)的金剛石膜制備工藝

名稱硅襯底上適于鍵合技術(shù)的金剛石膜制備工藝公開(kāi)號(hào)1272557公開(kāi)日2000.11.08主分類號(hào)C23C16/27&

日期 2010-12-15   

2011年市場(chǎng)對(duì)LED藍(lán)寶石襯底的需求將暴增

據(jù)統(tǒng)計(jì)，由于大量LED廠商不斷向上游進(jìn)軍，對(duì)MOCVD設(shè)備的需求急劇擴(kuò)大，2011年僅亞太地區(qū)的設(shè)備采購(gòu)量就有望突破1000臺(tái)，通過(guò)傳導(dǎo)作用，全球市場(chǎng)對(duì)LED藍(lán)寶石襯底...

日期 2010-12-01   

下游擴(kuò)張推動(dòng)藍(lán)寶石襯底需求持續(xù)走高 爭(zhēng)奪碳化硅襯底市場(chǎng)

據(jù)統(tǒng)計(jì)，由于大量LED廠商不斷向上游進(jìn)軍，對(duì)MOCVD設(shè)備的需求急劇擴(kuò)大，2011年僅亞太地區(qū)的設(shè)備采購(gòu)量就有望突破1000臺(tái)，通過(guò)傳導(dǎo)作用，全球市場(chǎng)對(duì)LED藍(lán)寶石襯底...

日期 2010-11-26   

在低熔點(diǎn)襯底上淀積金剛石狀碳膜的方法

名稱在低熔點(diǎn)襯底上淀積金剛石狀碳膜的方法公開(kāi)號(hào)1064710公開(kāi)日1992.09.23主分類號(hào)C23C14/30&n

日期 2010-12-09   

CVD金剛石涂層硬質(zhì)合金襯底預(yù)處理新方法研究

摘要本文研究了甲醇預(yù)處理方法對(duì)硬質(zhì)合金襯底表面仰制Co催石墨化作用。將甲醇預(yù)處理方法融入到傳統(tǒng)的兩步處理方法中，提出了新的兩步預(yù)處理方法，通過(guò)電鏡和EDX等手段對(duì)預(yù)處理...

日期 2010-01-20   
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