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官方微信摘要 名稱在低熔點襯底上淀積金剛石狀碳膜的方法公開號1064710公開日1992.09.23主分類號C23C14/30&n
| 名稱 | 在低熔點襯底上淀積金剛石狀碳膜的方法 | ||
| 公開號 | 1064710 | 公開日 | 1992.09.23 |
| 主分類號 | C23C14/30 | 分類號 | C23C14/30;C23C14/06;G02B1/10;G02B1/04 |
| 申請?zhí)?/strong> | 91101620.1 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1991.03.13 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請人 | 博士倫有限公司 | 地址 | 美國紐約州 |
| 發(fā)明人 | 邁克爾·J·坎博 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進(jìn)入國家日期 | ||
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖掬昌; 曹濟(jì)洪 |
| 摘要 | 在充有選擇性腐蝕氣體（例如氫）的真空度不同的小室中用經(jīng)電子束蒸發(fā)的固體碳源在絕緣襯底上淀 積金剛石狀碳膜，以便使襯底的溫度維持在１５０℃ 以下。為了用帶正電的離子轟擊襯底同時防止排斥性表面電荷聚集，往夾持襯底的旋轉(zhuǎn)夾具上加一個射頻電場。抽成不同真空度的小室保持小室一端固體碳源周圍的環(huán)境壓強(qiáng)使其低得足以防止電子束能量損耗，并使碳得以蒸發(fā)，同時保持小室另一端的襯底使其處于較高的壓強(qiáng)，從而使射頻電場得以激活襯底周圍的離子氣體等離子體，以便淀積金剛石狀碳膜。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號