美國(guó)威斯康星大學(xué)(University of Wisconsin-Madison)的科學(xué)家最近宣布,他們成功開(kāi)發(fā)出碳納米晶體管,其性能大大超越現(xiàn)有的硅晶體管,它所通過(guò)的電量比晶體管高了1.9倍??茖W(xué)家表示,碳納米管晶體管超越硅晶體管,這還是第一次。
最近,碳納米管內(nèi)存已經(jīng)走出實(shí)驗(yàn)室,開(kāi)始投入生產(chǎn),這是一個(gè)振奮人心的消息,如果美國(guó)威斯康星大學(xué)的研究能夠推廣,NRAM內(nèi)存就可以與碳納米管CPU搭配使用。
要校準(zhǔn)納米管在圓晶上的位置、保證其純度是一大挑戰(zhàn),威斯康星大學(xué)在這方面取得了重大進(jìn)展。研究人員稱(chēng),消除金屬雜質(zhì)是一大關(guān)鍵,因?yàn)樗鼤?huì)破壞碳納米管的半導(dǎo)體性能。
項(xiàng)目主管邁克爾·阿諾德(Michael Arnold)指出:“我們發(fā)現(xiàn)在某些特定條件下幾乎不會(huì)形成金屬納米管,金屬納米管出現(xiàn)的機(jī)率只有0.01%。”
從理論上講,未來(lái)碳納米晶體管的性能可以比硅高5倍,換言之,如果用在設(shè)備中,它的能耗比硅晶體管低5倍。一旦技術(shù)真正投入使用,就可以開(kāi)發(fā)出更強(qiáng)大的處理器、讓無(wú)線通信速度更快、提高便攜設(shè)備的續(xù)航能力。
阿諾德評(píng)價(jià)稱(chēng):“制造碳納米晶體管,讓它的性能超越硅晶體管,這是一個(gè)重大的里程碑。將碳納米管用于邏輯、高速通信及其它半導(dǎo)體電子技術(shù)是長(zhǎng)遠(yuǎn)目標(biāo),碳納米晶體管的性能取得突破,這是通往目標(biāo)的關(guān)鍵一步。”
當(dāng)然,科學(xué)家的工作并沒(méi)有結(jié)束,他們需要改進(jìn)技術(shù),使之可以用于商業(yè)生產(chǎn)。IBM曾經(jīng)表示,在2020年左右我們可能就會(huì)看到碳納米管CPU。由于碳納米管更具彈性,它可以用在各種柔性、可伸縮電子產(chǎn)品中。
在內(nèi)存方面,富士通最近宣布,如果進(jìn)展順利將于2018年推出碳納米管NRAM。
摩爾定律快要失效,為了增加晶體管密度,半導(dǎo)體企業(yè)面臨無(wú)數(shù)的挑戰(zhàn)。硅晶體管開(kāi)始向極限接近,材料科學(xué)變得越來(lái)越重要。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一致認(rèn)為,硅晶體管的制程最低可以達(dá)到5納米左右,研究人員必須向新材料投資,用來(lái)替代硅。
碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管!

到底什么是碳納米管?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),碳納米管是由碳層(一層只有一個(gè)原子厚)組成的,它們卷成管子,直徑介于1納米至2納米之間。在人類(lèi)的認(rèn)識(shí)范圍內(nèi),碳納米管是導(dǎo)電性能最強(qiáng)的材料之一,研究人員認(rèn)為單根碳納米管的性能比常規(guī)硅晶體管高5倍。
雖然碳納米管的性能強(qiáng)大,但是要在如此小的尺寸內(nèi)清除雜質(zhì)是一大挑戰(zhàn),即使只有一個(gè)金屬雜質(zhì)體,碳納米管的性能也會(huì)大受影響,比如它可能會(huì)導(dǎo)致短路。為了解決此問(wèn)題,研究人員發(fā)明了一種新技術(shù),他們用高分子聚合物清除雜質(zhì)。
接下來(lái)研究人員需要將細(xì)小的碳納米管統(tǒng)一排列,緊密結(jié)合,他們開(kāi)發(fā)了一種名為“流動(dòng)蒸發(fā)自組裝(floating evaporative self-assembly)”的技術(shù),可以在1X1英寸的圓晶上排列碳納米管?,F(xiàn)有制造廠需要進(jìn)一步研發(fā),讓該技術(shù)用在更大的圓晶上。