日本產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所開發(fā)出了用金剛石作半導體的深紫外LED。詳細內(nèi)容將在應用物理學會舉辦的09年春季的“第56屆應用物理學聯(lián)合演講會”（3月30日～4月2日，筑波大學）上發(fā)布（演講序號：1p-TC-9～10）。
　　
　　此次開發(fā)的深紫外LED采用在2mm見方的金剛石底板上層疊p-i-n結構金剛石半導體的設計。采用發(fā)光波長為235nm深紫外線。注入 320mA電流時的輸出功率為30μW。“目前已接近實用水平”（產(chǎn)綜研能源技術研究部門主要研究員、筑波大學數(shù)理物質化學研究科教授山崎聰）。
　　
　　據(jù)產(chǎn)綜研透露，該LED具有兩大特點：（1）即使接通大電流發(fā)光效率仍繼續(xù)增加，（2）耐高溫。比如即使通過直徑為120μm的電極接通電流 密度超過2000A/cm2的電流，發(fā)光效率也不會達到飽和，而是繼續(xù)升高。目前，使用競爭材料AlGaN類半導體的深紫外LED的工作電流密度最大約為 500A/cm2。
　　
　　耐高溫方面，即使將溫度從室溫提高到420℃，發(fā)光強度也不減弱，而是繼續(xù)增強。金剛石LED與普通LED不同，用“激子 （exciton）”的產(chǎn)生作發(fā)光原理。激子是類似粒子一樣運動的電子·空穴對。不過，一般情況下并不耐熱，大部分激子很快就會破裂。而金剛石LED產(chǎn)生 的激子“非常穩(wěn)定，即使在600℃的溫度下也不破裂”（產(chǎn)綜研能源技術研究部門電力能源基礎部特別研究員牧野俊晴）。這就是耐高溫的原因。
　　
　　不久將實現(xiàn)大幅的成本降低
　　
　　此前，用作金剛石LED底板的金剛石價格非常高，而且只能得到數(shù)mm見方的金剛石底板，無法達到實用化水平。對此牧野等表示：“目前正在開發(fā) 在硅晶圓上層疊多結晶金剛石半導體膜的技術。效率也只比此次開發(fā)的LED低1位數(shù)。由于采用硅和甲烷等極為常見的材料，所以投入實用的話，能以非常低的成 本制造金剛石LED”。

　　日本產(chǎn)綜研開發(fā)的金剛石LED的發(fā)光演示?？梢姽獠皇潜緛淼淖贤饩€，而是利用棱角缺陷等產(chǎn)生的可視光。采用實際強度（單位波長）約為可視光20倍的深紫外線。