名稱 | 熱陰極輝光等離子體化學(xué)相沉積制備金剛石膜的工藝 | ||
公開號(hào) | 1107900 | 公開日 | 1995.09.06 |
主分類號(hào) | C23C16/26 | 分類號(hào) | C23C16/26 |
申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 94116283.4 | ||
分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 1994.09.24 | |
頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
申請(qǐng)人 | 吉林大學(xué) | 地址 | 130023吉林省長(zhǎng)春市解放大路123號(hào) |
發(fā)明人 | 金曾孫; 呂憲義; 姜志剛; 鄒廣田 | 國(guó)際申請(qǐng) | |
國(guó)際公布 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | ||
專利代理機(jī)構(gòu) | 吉林大學(xué)專利事務(wù)所 | 代理人 | 王恩遠(yuǎn) |
摘要 | 本發(fā)明的熱陰極輝光PCVD制備金剛石膜的工藝屬于一種制膜技術(shù)。工藝過程是 :將清洗好的基片置于真空罩(室)內(nèi)的陽極底座上,抽真空后,充入原料氣體,在兩極間加直流電壓產(chǎn)生輝光,并保持陰極的溫度在500℃以上。本工藝的陰極材料采用電子脫出功小、熔點(diǎn)高的金屬制成,例如:Ta、Mo、W等。這種工藝的工作氣壓范圍寬,輝光穩(wěn)定,碳?xì)浠衔锏臐舛容^高,從而使金剛石膜的質(zhì)量好,生長(zhǎng)速率高,面積易于擴(kuò)大,可制備出大面積厚膜,工藝條件也易于控制。 |