申請(qǐng)?zhí)? 201720527928.4

申請(qǐng)日: 2017.05.12   

申請(qǐng)人: 中國(guó)工程物理研究院應(yīng)用電子學(xué)研究所

發(fā)明人: 李文君; 周霖; 程云; 馮真; 李春霞; 單李軍; 鄧德榮; 黎明; 楊興繁

      摘要： 

      本實(shí)用新型公開(kāi)一種用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積法制備金剛石膜的基片臺(tái)，屬于晶體合成技術(shù)領(lǐng)域。該基片臺(tái)置于微波等離子體化學(xué)氣相沉積金剛石膜裝置反應(yīng)腔體內(nèi)的水冷臺(tái)上，其結(jié)構(gòu)包含用于放置沉積基底的中心凹槽、環(huán)形外凸出部、環(huán)形內(nèi)凸出部、介于內(nèi)外凸出部之間的環(huán)形凹槽及位于外凸出部外側(cè)的外表面。該基片臺(tái)獨(dú)立于反應(yīng)腔體及水冷臺(tái)，用于放置沉積基底并在其上方形成均勻穩(wěn)定的電場(chǎng)及等離子體分布，提高所制備的金剛石膜的均勻性，同時(shí)能夠有效防止基片臺(tái)非沉積區(qū)域生成的雜質(zhì)濺射至沉積基底上污染金剛石膜。本實(shí)用新型具有設(shè)計(jì)制作簡(jiǎn)單、能夠制備大面積金剛石膜、易于調(diào)節(jié)尺寸以適合制備不同尺寸及厚度的金剛石膜、制備的金剛石膜品質(zhì)高等優(yōu)點(diǎn)。 

      主權(quán)利要求:

      一種用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積法制備金剛石膜的基片臺(tái)，其特征在于包括用于放置沉積基底的中心凹槽、環(huán)形外凸出部、環(huán)形內(nèi)凸出部、介于內(nèi)外凸出部之間的環(huán)形凹槽及位于環(huán)形外凸出部外側(cè)的外表面；所述環(huán)形外凸出部的高度大于環(huán)形內(nèi)凸出部的高度；所述環(huán)形外凸出部的外表面為傾斜平面或者弧形面。