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官方微信摘要 專利號(hào)：201010277501申請(qǐng)人：西南科技大學(xué)技術(shù)簡(jiǎn)要說(shuō)明：本發(fā)明是摻氮納米金剛石薄膜的制備方法。包括：a、以硝基苯甲醛、C60、氨基酸為原料，合
專利號(hào)：201010277501
申請(qǐng)人：西南科技大學(xué)
技術(shù)簡(jiǎn)要說(shuō)明：本發(fā)明是摻氮納米金剛石薄膜的制備方法。包括：a、以硝基苯甲醛、C60、氨基酸為原料，合成得到C60含氮衍生物；b、將C60含氮衍生物溶入甲苯中形成甲苯溶液，放入液態(tài)源容器中；c、將單晶硅基片放入微波等離子體反應(yīng)腔中的樣品臺(tái)上，開啟微波發(fā)生器，并向液態(tài)源容器通入氬氣，通過(guò)液體鼓泡法用氬氣將C60含N衍生物分子載入反應(yīng)腔中并在微波能激勵(lì)下共同形成等離子體金剛石薄膜。本發(fā)明生成的摻氮納米金剛石薄膜電子電導(dǎo)率大，最高達(dá)1.31×102Ω-1cm-1，遷移率也較高，對(duì)應(yīng)電導(dǎo)率最大值時(shí)可到22cm2/V·s。本發(fā)明制備高電導(dǎo)率n型金剛石膜方法簡(jiǎn)便，實(shí)施容易。
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