手機資訊
官方微信摘要 名稱碳化硅激光器公開號1304195公開日2001.07.18主分類號H01S3/16
| 名稱 | 碳化硅激光器 | ||
| 公開號 | 1304195 | 公開日 | 2001.07.18 |
| 主分類號 | H01S3/16 | 分類號 | H01S3/16 |
| 申請?zhí)?/strong> | 99120120.5 | ||
| 分案原申請?zhí)?/strong> | 申請日 | 1999.12.13 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請人 | 張洪濤 | 地址 | 430074湖北省湖北工學(xué)院電氣工程與計算機科學(xué)系 |
| 發(fā)明人 | 張洪濤 | 國際申請 | |
| 國際公布 | 進(jìn)入國家日期 | ||
| 專利代理機構(gòu) | 代理人 | ||
| 摘要 | 碳化硅（SiC）粉體激光器是一種單頻、強度連續(xù)可調(diào)的新型激光器。它需要激光來泵浦，并且隨泵浦激光的頻率不同，碳化硅（SiC）粉體出射的激光頻率也不同。碳化硅（SiC）粉體出射的激光為空間全方位的。碳化硅（SiC）粉體的平均粒徑從微米級到納米級均可，或納米到微米級的混合體。SiC的顆粒形狀可為球狀、不規(guī)則狀或纖維狀、晶須等形狀。產(chǎn)生激光的碳化硅（SiC）粉體要求一定的厚度和面積，一般為面積不小于５０μm#+[2]，厚度大于０．５μm。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號