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官方微信摘要 名稱用作電源開(kāi)關(guān)的碳化硅N溝場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法公開(kāi)號(hào)1297258公開(kāi)日2001.05.30主分類(lèi)號(hào)H01L2
| 名稱 | 用作電源開(kāi)關(guān)的碳化硅N溝場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法 | ||
| 公開(kāi)號(hào) | 1297258 | 公開(kāi)日 | 2001.05.30 |
| 主分類(lèi)號(hào) | H01L29/786 | 分類(lèi)號(hào) | H01L29/786 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 00130957.9 | ||
| 分案原申請(qǐng)?zhí)?/strong> | 申請(qǐng)日 | 2000.11.22 | |
| 頒證日 | 優(yōu)先權(quán) | ||
| 申請(qǐng)人 | 朗迅科技公司 | 地址 | 1999.11.23 US 09/448,856 |
| 發(fā)明人 | 譚健;阿施拉夫·瓦吉赫·洛特菲 | 國(guó)際申請(qǐng) | 美國(guó)新澤西州 |
| 國(guó)際公布 | 進(jìn)入國(guó)家日期 | ||
| 專利代理機(jī)構(gòu) | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人 | 王永剛 |
| 摘要 | 一種形成在半導(dǎo)體晶片的襯底之上的橫向金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、一種制造它的方法和組裝了MOSFET的半導(dǎo)體器件及其制造方法。在一個(gè)實(shí)施例中，MOSFET包括位于襯底之上或之內(nèi)的碳化硅層，柵極形成于碳化硅層之上。MOSFET還包括位于碳化硅層中并且與該柵極接觸的源區(qū)和漏區(qū)，碳化硅層提高了 MOSFET的擊穿電壓。 | ||
豫公網(wǎng)安備41019702003646號(hào)