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基于DSP的金剛石生長(zhǎng)六面頂壓機(jī)專用壓力控制電路

申請(qǐng)?zhí)枺?01420401815.6申請(qǐng)人:天津職業(yè)技術(shù)師范大學(xué)摘要:本實(shí)用新型涉及一種基于DSP控制的金剛石生長(zhǎng)六面頂壓機(jī)專用壓力控制電路,其壓力控制電路包括壓力傳感...

日期 2014-12-22   

用于金剛石單晶生長(zhǎng)的金伯利巖基容器

申請(qǐng)?zhí)枺?01320137169申請(qǐng)人:江蘇西玉鉆石科技有限公司摘要:本實(shí)用新型涉及一種用于人造金剛石單晶生長(zhǎng)的金伯利巖基容器,具有坩堝容器,坩堝容器具有壁體以及由壁體...

日期 2013-12-16   

用于金剛石單晶生長(zhǎng)的鉀鎂煌斑巖基容器

申請(qǐng)?zhí)枺?01320133175申請(qǐng)人:江蘇西玉鉆石科技有限公司摘要:本實(shí)用新型涉及一種用于人造金剛石單晶生長(zhǎng)的鉀鎂煌斑巖基容器,具有坩堝容器,坩堝容器具有壁體以及由壁...

日期 2013-11-06   

一種金剛石單晶生長(zhǎng)用石墨梯度發(fā)熱元件

申請(qǐng)?zhí)枺?01320136502申請(qǐng)人:江蘇西玉鉆石科技有限公司摘要:本實(shí)用新型涉及一種人造金剛石單晶生長(zhǎng)用石墨梯度發(fā)熱元件,具有錐形石墨發(fā)熱管,錐形石墨發(fā)熱管具有發(fā)熱...

日期 2013-09-30   
等離子體射流反應(yīng)器加快金剛石生長(zhǎng)速率

等離子體射流反應(yīng)器加快金剛石生長(zhǎng)速率

近日,英國(guó)的一項(xiàng)等離子體射流反應(yīng)器技術(shù)將替代傳統(tǒng)的微波反應(yīng)器技術(shù)來(lái)快速生產(chǎn)人造金剛石,其合成速度或?qū)⒈纫郧疤岬?...

日期 2013-08-06   
石墨烯生長(zhǎng)納米線技術(shù)

石墨烯生長(zhǎng)納米線技術(shù)

自組裝線結(jié)構(gòu)由材料成分的核和外殼組成,這是未來(lái)先進(jìn)電子設(shè)備應(yīng)具備的特質(zhì)。納米線作為一種半導(dǎo)體材料的納米級(jí)微型導(dǎo)線...

日期 2013-07-13   
MC模擬研究CVD聚晶金剛石薄膜生長(zhǎng)

MC模擬研究CVD聚晶金剛石薄膜生長(zhǎng)

近日,俄羅斯國(guó)立大學(xué)Skobel’tsyn研究所的Yu.A.Mankelevich和英國(guó)Bristol大學(xué)化學(xué)院...

日期 2013-06-18   
石墨烯超低溫可控外延生長(zhǎng)研究取得進(jìn)展

石墨烯超低溫可控外延生長(zhǎng)研究取得進(jìn)展

近日,微尺度物質(zhì)科學(xué)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室張振宇教授理論研究組與國(guó)內(nèi)外相關(guān)課題組合作,在石墨烯超低溫可控外延生長(zhǎng)研究方面取得...

日期 2013-06-06   

高溫高壓生長(zhǎng)金剛石的內(nèi)部即時(shí)測(cè)溫裝置

申請(qǐng)?zhí)枺?01220643240申請(qǐng)人:臺(tái)鉆科技(鄭州)有限公司摘要:本實(shí)用新型涉及一種測(cè)量裝置,特別涉及一種用于高溫高壓生長(zhǎng)金剛石的內(nèi)部即時(shí)測(cè)溫裝置,包含熱電偶絲及溫...

日期 2013-05-15   

一種CBN粉體表面生長(zhǎng)瘤狀物的方法

申請(qǐng)?zhí)枺篊N102330078A申請(qǐng)人:鄭州輕工業(yè)學(xué)院本發(fā)明公開了一種CBN粉體表面生長(zhǎng)瘤狀物的方法,步驟如下:將CBN粉體進(jìn)行除油、粗化、敏化、活化、還原處理,然后進(jìn)...

日期 2013-03-19   

金剛石薄膜生長(zhǎng)方法是怎樣分類的?

答:金剛石薄膜的生長(zhǎng)方法有很多種,歸納起來(lái)可分為兩大類。一類是化學(xué)氣相沉積方法,簡(jiǎn)稱CVD;另一類是物理氣相沉積方法,簡(jiǎn)稱PVD法。這兩類方法中,前者多使用真空度不高但...

日期 2012-12-06   

金剛石薄膜生長(zhǎng)的一般規(guī)律是什么?

答:金剛石薄膜的形成過(guò)程一般要經(jīng)歷3個(gè)階段,即成核及分立晶體的生長(zhǎng)、島狀結(jié)構(gòu)(或網(wǎng)狀結(jié)構(gòu))的形成和連續(xù)薄膜的形成。(1)金剛石薄膜的成核晶體成核分為兩種類型:均相成核和...

日期 2012-12-04   

生長(zhǎng)較粗的優(yōu)晶或提高45/50粒度的金剛石強(qiáng)度和單產(chǎn)其必要條件和充分條件是什么?

答:實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)的必要和充分條件是:(1)保證有較大的生長(zhǎng)空間和足夠合適的合成時(shí)間;(2)控制成核數(shù)量不宜過(guò)多過(guò)密,保證晶粒之成核點(diǎn)間距和均勻分布(與控制工藝有關(guān));(...

日期 2012-11-14   

金剛石生長(zhǎng)中影響壓力的因素有哪些

答:1、焙燒溫度:同樣的葉臘石塊,用不同的溫度焙燒,其傳壓性能不同,如果焙燒溫度低,其剪切強(qiáng)度小,摩擦系數(shù)過(guò)小,在加壓時(shí)葉蠟石易從壓頭之間擠出,這樣密封性能差,壓力建立...

日期 2012-11-09   
金剛石單晶生長(zhǎng)的聲發(fā)射信號(hào)分析

金剛石單晶生長(zhǎng)的聲發(fā)射信號(hào)分析

在2012中國(guó)超硬材料技術(shù)發(fā)展論壇上,來(lái)自中原工學(xué)院材料與化工學(xué)院的劉磊作了關(guān)于《金剛石單晶生長(zhǎng)的聲發(fā)射信號(hào)分析...

根據(jù)什么原則來(lái)選擇優(yōu)質(zhì)金剛石晶體生長(zhǎng)參數(shù)?

答:(1)起始加熱、加壓時(shí)間(2)臺(tái)階壓力。石墨在合金中的再結(jié)晶實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示,臺(tái)階壓力的選擇不是任意的,不能過(guò)低,也不能過(guò)高,臺(tái)階壓力過(guò)低,石墨在再結(jié)晶階段不能很好地向...

日期 2012-11-02   

金剛石晶體生長(zhǎng)的產(chǎn)量、質(zhì)量與工藝參數(shù)的選擇關(guān)系是什么?

答:(1)升溫表壓約最終合成表壓的一半,實(shí)踐表明,其數(shù)值的高度明顯影響金剛石的粒度粗細(xì),一般來(lái)講,降低升溫表壓,有利于金剛石粒度粗。(2)暫停表壓比合成表壓約低10~1...

日期 2012-10-16   

何謂晶體生長(zhǎng)和晶體生長(zhǎng)速率?

答:當(dāng)穩(wěn)定的晶核已在基質(zhì)中形成之后,在適當(dāng)?shù)倪^(guò)冷度和過(guò)飽和條件下,基質(zhì)中的原子(或原子團(tuán))向界面遷移,到達(dá)適當(dāng)?shù)纳L(zhǎng)位置,使晶體長(zhǎng)大,在人工晶體專業(yè)中“晶體...

日期 2012-09-22   

影響金剛石晶體生長(zhǎng)的主要因素有哪些?

答:一般認(rèn)為,一個(gè)晶體的生長(zhǎng)由以下兩個(gè)因素所決定:一個(gè)是它的內(nèi)部構(gòu)造,另一個(gè)是他的外部條件,對(duì)于人造金剛石晶體生長(zhǎng)來(lái)講,壓力、溫度、熔煤是生長(zhǎng)過(guò)程中幾個(gè)重要的外部條件。...

日期 2012-09-17   
什么是生長(zhǎng)區(qū)內(nèi)金剛石類型分布特征及晶體生長(zhǎng)規(guī)律?

什么是生長(zhǎng)區(qū)內(nèi)金剛石類型分布特征及晶體生長(zhǎng)規(guī)律?

答:根據(jù)熱力學(xué)觀點(diǎn)與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)之綜合,把各生長(zhǎng)區(qū)內(nèi)的金剛石晶體生長(zhǎng)特征及質(zhì)量分布規(guī)律劃分結(jié)果如圖所示。各粒度線區(qū)的...

日期 2012-08-31   
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