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一種異質(zhì)外延生長(zhǎng)大尺寸單晶金剛石的襯底及其制備方法

申請(qǐng)?zhí)枺?01410794743.0申請(qǐng)人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)發(fā)明人:王楊代兵朱嘉琦舒國(guó)陽(yáng)摘要:本發(fā)明公開

日期 2015-04-24   
石墨烯超低溫可控外延生長(zhǎng)研究取得進(jìn)展

石墨烯超低溫可控外延生長(zhǎng)研究取得進(jìn)展

近日,微尺度物質(zhì)科學(xué)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室張振宇教授理論研究組與國(guó)內(nèi)外相關(guān)課題組合作,在石墨烯超低溫可控外延生長(zhǎng)研究方面取得...

日期 2013-06-06   

在沿<1100>方向切割的基片上生長(zhǎng)的碳化硅外延

名稱在沿方向切割的基片上生長(zhǎng)的碳化硅外延層公開號(hào)1377311公開日2002.10.30主分類號(hào)

日期 2010-12-24   

在藍(lán)寶石襯底上異質(zhì)外延生長(zhǎng)碳化硅薄膜的方法

名稱在藍(lán)寶石襯底上異質(zhì)外延生長(zhǎng)碳化硅薄膜的方法公開號(hào)1369904公開日2002.09.18主分類號(hào)H01L21/3

日期 2010-12-24   

生長(zhǎng)非常均勻的碳化硅外延

名稱生長(zhǎng)非常均勻的碳化硅外延層公開號(hào)1282386公開日2001.01.31主分類號(hào)C30B25/02

日期 2010-12-23   

減少碳化硅外延生長(zhǎng)中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅結(jié)構(gòu)

名稱減少碳化硅外延生長(zhǎng)中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅結(jié)構(gòu)公開號(hào)1167511公開日1997.12.10主分類號(hào)

日期 2010-12-23   

同位素純單晶外延金剛石薄膜及其制備方法

名稱同位素純單晶外延金剛石薄膜及其制備方法公開號(hào)1057869公開日1992.01.15主分類號(hào)C30B25/02&

日期 2010-12-09   
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